参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPI50R299CPn: 0
说明	功率MOSFET   10.2mm
起订量	0
最小包	0
现货	395 [库存更新时间：2025-04-02]
104 W	Pd - 功率消耗
系列	IPI50R299
下降时间	12 nS
上升时间	14 nS
标准包装数量	500
公司名称	CoolMOS
标准断开延迟时间	80 nS
配置	Single
23 nC	Qg - 闸极充电
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	12A
Rds On(Max)@Id,Vgs	270mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	31nC
Pd-功率耗散(Max)	104W
高度	9.45mm
长度	10.2mm
FET类型	N-Channel
宽度	4.5mm
典型关闭延迟时间	80ns
典型接通延迟时间	35ns
工作温度	-55°C~150°C